国产第二代SiC碳化硅MOSFET在伺服驱动中的应用-倾佳电子分销

适用于伺服驱动的国产第二代碳化硅MOSFET-倾佳电子分销

BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色：

1.出类拔萃的可靠性：相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模时的器件可靠性。

BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右，高于市面主流竞品，击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动，能够确保大批量时的器件可靠性，这是BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET最关键的品质. 

2.可圈可点的器件性能：同规格较小的Crss带来出色的开关性能。

BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss 在市面主流竞品中是比较小的，带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的，优于部分海外竞品，特别适用于LLC应用.

Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 优于主流竞品。

Crss：反向传输电容（Crss＝Cgd） ⇒栅极-漏极电容：Crss越小，漏极电流上升特性越好，这有利于MOSFET的损耗，在开关过程中对切换时间起决定作用，高速驱动需要低Crss。

Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。

基本B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：

• 比导通电阻降低40%左右

• Qg降低了60%左右

• 开关损耗降低了约30%

• 降低Coss参数，更适合软开关

• 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险

• 最大工作结温175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试

• 优化栅氧工艺，提高可靠性

• 高可靠性钝化工艺

• 优化终端环设计，降低高温漏电流

• AEC-Q101

新型集成伺服电机设计，该设计使用SiC MOSFET代替IGBT作为逆变器的核心功率器件。与 IGBT 相比，SiC MOSFET 具有非常低的开关损耗和导通损耗。SiC MOSFET可以位于电机的外壳内，并可以通过自冷金属外壳实现相当大的功率输出。

基于SiC MOSFET的伺服驱动器。在串扰机理的基础上，采用有源钳位抑制桥臂串扰的SiC MOSFET驱动电路，伺服驱动系统采用磁场定向矢量控制算率元件的成本在总体BOM成本中占主导地位。提高开关频率提供了一种减小这些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散热要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可显着降低散热器温度高达 50%，从而缩小散热器尺寸和/或消除风扇，从而降低设备生命周期内的能源成本。 通常的诱惑是在计算价值主张时仅考虑系统的组件和成本。在考虑碳化硅 (SiC) MOSFET的在电力电子系统里的价值时，考虑节能非常重要。在电力电子设备的整个生命周期内节省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET价值主张的一个重要部分。