三极管击穿电压测试用源表

三极管击穿电压测试用源表

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2024-01-26 11:39
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测试精度:
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25±10℃

三极管击穿电压测试用源表需要几台源表?搭建方案示意图?
 ①、三极管测试时一台加在基极与发射极之间,一台加在集电极与发射极之间;MOS管测试时一台加在栅极与源极之间,一台加在漏极与源极之间;需要使用两台直流源表同步触发使用,或使用插卡式直流源表; 


②、三极管的基极及MOS管的栅极一般耐压值较低于30V,基于最高性价比考虑,其中一台使用S100即可,另一台根据三极管的集电极或MOS管的漏极耐压而定,普赛斯仪表推出的功率器件静态测试仪可测量MOSFET、T、IGBT等的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

       测试测量仪器的用户除了电气工程师,出现越来越多非电子工程的技术人员,如电化学家、物理学家、材料科学家等,这些用户都需要快速得到测量数据,但缺少电气测量方面的基础和知识。另外,年轻的用户群体更倾向于使用便捷的操作界面和软件系统。为适应这些市场需求,S型数字源表全触屏方便操作的特性,使用户更快速地获得测试结果。有关三极管击穿电压测试用源表的更多信息,欢迎随时关注我们普赛斯仪表哦!详询一八一四零六六三四七六:           



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